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富士通推出新型大内存HF RFID电子标签芯片

放大字体  缩小字体 发布日期:2012-07-13  浏览次数:543
核心提示: 富士通半导体有限公司FerVID系列RFID标签芯片又添新成员:MB89R112,专为HF(高频)RFID电子标签设计,包括9KB的FRAM(铁电RAM
   富士通半导体有限公司FerVID系列RFID标签芯片又添新成员:MB89R112,专为HF(高频)RFID电子标签设计,包括9KB的FRAM(铁电RAM)存储空间。


 该MB89R112芯片可嵌入无源RFID标签,符合ISO 15693标准。

    富士通的FerVID芯片采用FRAM,写入速度快,高频可重写,辐射耐受性好并能在低功率条件运行。

    公司报告指出,公司专为两个频段系列的标签(13.56MHz和860~960MHz)开发了FRAM,其应用范围广泛。比如:在工业自动化和维修部门使用的数据存储标签,能充分发挥FRAM快速写入速度和高容量的双重优势;在医药行业,为能够承受的伽马射线和电子束,所采用的具有串行接口的嵌入式芯片。

 据富士通分析,对更大的存储容量,并能够连接RFID芯片传感器和微控制的需求正在增长,后者可作为一种改变产品的操作参数的无线操作方式,或以无线的方式来获取运输途中的环境日志。公司解释说,这些特点将有利于在汽车和电子行业,以及在飞机维修、道路、建筑和公共工程中的生产控制。新的MB89R112芯片的RFID标签解决了以上需求。

 它有一个SPI总线接口,能让芯片(以及基于该芯片的标签)连接到传感器和微控制器。例如,该芯片可以用来记录物流环境数据,检测设备错误,修改电子显示器,改变传感器阈值,或更新固件。

 另外MB89R112芯片作为FerVID系列的一员,其HF产品存储能力从256Bit到9KB,UHF从4KB到64KB。

 由于芯片采用嵌入式串行接口,该系列芯片目前提供4KB UHF和9KB HF两个版本。

 新的MB89R112芯片有望在下个月提供样品量。
 
 
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